Когда растения пересаживают из рассадной теплицы в теплицу на постоянное место, их не помещают сразу на минвату. Растения еще не готовы укореняться в минвате, и это может привести к вегетативному типу роста. Поэтому в начале этого периода в теплице рассада в кубиках помещается на полиэтиленовую пленку возле лунок. Этот период нужен для тою, чтобы направить развитие растений в генеративное русло. Это необходимо для развития плодов хорошего качества на первой кисти и для создания здорового сильного растения. В зависимости от ситуации (погодные условия, времени года, сорта), кубики размешаются на постоянное место на матах, когда зацветают первая-вторая кисти. Мин. плиту необходимо насыщать до показателя ЕС — 3.0-3.5 и рН — 5.6-5.8. После посадки возможна вегетативная реакция, т. е. усиление роста за счет цветения. Эту реакцию необходимо контролировать принятием следующих мер:

—        ЕС питательного раствора увеличить на 0.5-1.0 мС/см;

—        поддерживать разницу между дневной и ночной тем пера гурами;

—        активизировать транспирашпо нагреванием труб отопления;

—        регулировать температуру при плохой освещенности — повышать ее в ночное время.

В первые дни после посадки растения необходимо поливать достаточным количеством воды (частые кратковременные поливы) днем и ночью.

Через 4—7 дней (после укоренения) количество воды нужно отрегулировать в соответствии с транспирацией и ростом. До того времени, пока не зацветут 3—5 кисти, необходимо сохранять плиту относительно сухой путем небольшого дренажа.

После посадки следят за соответствием температуры требованиям генеративного развития. В ясные морозные ночи температура не должна быть намного ниже дневной температуры, поскольку f растений падает ниже t° воздуха. Кроме того, если поднимать температуру от относительно низкой (ночь) до более высокой (день), требуется много дополнительной энергии для нагрева.

ЕС питательного раствора должна быть 3.0-3.5 мСМм/см. После укоренения уровень ЕС можно снизить до 2.8-3.0, однако, при необходимости, с целью поддержания генеративного развития, ЕС можно повышать.

При избыточной влажности в корневой зоне, формируется слабое растение. Окраска растения должна изменяться от ярко-зеленой утром до темно- зеленой в послеобеденное время. Этого можно добиться при правильной ирригации, а также кратковременным, — приблизительно на 2 часа, поднятием 1° на 2—4"С в полуденное время.

Это, особенно в пасмурные дни, стимулирует растение к активности и генеративному развитию.

Температура после посадки такая же, как и в рассаднике-те пли не. Чем позже производится посев и чем выше уровень освещенности, тем выше может быть средняя суточная температура. Она может колебаться от 17°С в зимнее время до 22—23°С в летнее время. До появления 1-Й кисти температура день/ночь одинаковая. После появления всходов температуру постепенно снижают до 19ПС днем и до 18°С ночью, а затем до 18°С днем и до 17°С ночью. Если световой уровень ниже 100 Дж/см2 вдень, среднюю суточную Г необходимо снизить до 17— 17,5°С. После появления первой кисти необходимо создавать разницу температур день/ночь в 1—2°С для развития сильной кисти.

Если световой уровень > 200 Дж/см2/день, среднюю t° можно повышать до 18-18,5°С.

Варьирование ЕС — от 3.0 (4 недели) до 3,5 (6 недель).

СО,: до 8000 ppm — 0,08%. Будьте осторожны с проветриванием при внешней температуре <15°С. При длительной низкой температуре снаружи теплицы необходима очень осторожная вентиляция с одновременным подогревом.

При более высокой наружной температуре степень нагрева труб должна быть соответствующей.

Основные ориентировочные температурные показатели.

Пасмурный день — в среднем 18"С. Подогрев ночью — до 17,5°С, днем — до 18,5°С. При проветривании температура в теплице должна хотя бы на один градус превышать наружную.

Солнечный день — в среднем 19°С. Подогрев ночью до 18,5°С, днем — до19,5°С.

При солнечной погоде температура может подниматься до 23—24°С.

Вышеуказанные температуры могут варьироваться в зависимости от условий и достигать различных величин. Внешний вид растений показывает,

какие коррекции в температурном режиме необходимо предпринять.

Генеративное развитие обеспечивается разницей между дневной и ночной температурами.

Вегетативное развитие — одинаковой ночной и дневной температурой.